• Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках

Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках

Монография Л. Милнса, известного американского ученого, специалиста в области физики полупроводников, содержит обширный систематизированный экспериментальный материал, касающийся природы, свойств и различных про­явлений примесных центров с глубокими уровнями в германии, кремнии и полу­проводниках типа AmBv. Подробно рассмотрены различные неравновесные процессы в этих полупроводниках и р-«-переходах на их основе: механизмы захвата носителей примесными центрами при наличии электрического поля и в его отсутствие; рекомбинация и прилипание носителей; кинетика фототока и тока переключения диодов; термостимулированная проводимость; токи, ограни­ченные объемным зарядом и биполярная инжекция; различного типа неустой­чивости тока; проводимость в примесной зоне. Книга будет полезна многочисленным специалистам - физикам и инжене­рам, работающим в области исследований и технических применений полупро­водников в фото- и оптоэлектронике, полупроводниковой квантовой электро­нике и т п., а также аспирантам и студентам, специализирующимся в этой области.

Этот товар еще никто не оценил, оставьте отзыв первым!

Написать отзыв

Задайте любой интересующий вас вопрос по данному товару.

Задать вопрос